IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

5598.22 грн.

10 или более 5486.26 грн.
100 или более 5318.31 грн.
1000 или более 5038.40 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT20N360HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 430 Вт
Ток
Ток 20 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.9 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 70 А (25°C)
Напряжение 3600 В
datasheet