IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

4823.07 грн.

10 или более 4726.61 грн.
100 или более 4581.92 грн.
1000 или более 4340.76 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXBT20N360HV
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3

Корпус
Корпус	TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж	SMT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	430 Вт
Ток
Ток	20 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2.9 В
Структура	С диодом
Технология	BIMOSFET
Ток (макс.)	70 А (25°C)
Напряжение	3600 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969