РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT20N360HV
IXBT20N360HV
5 266.80 грн.
10 или более 5 161.46 грн.
100 или более 5 003.46 грн.
1000 или более 4 740.12 грн.
100 или более 5 003.46 грн.
1000 или более 4 740.12 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 20A 3600V BIMOSFET TO268 (D3
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 430 Вт |
| Ток | |
| Ток | 20 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.9 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 70 А (25°C) |
| Напряжение | 3600 В |