IXBT24N170

IXBT24N170

1 542.02 грн.

10 або більше: 1 461.44 грн.
100 або більше: 1 416.71 грн.
1000 або більше: 1 342.14 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT24N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 250 Вт
Струм
Струм 24 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.5 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 60 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet