IXBT24N170

IXBT24N170

1301.25 грн.

10 или более 1091.49 грн.
100 или более 1091.49 грн.
1000 или более 1091.49 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT24N170
Доступно: 23

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 24A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 250 Вт
Ток
Ток 24 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.5 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 60 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet