РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBT2N250
IXBT2N250
1169.89 грн.
10 або більше: 1145.30 грн.
100 або більше: 1110.24 грн.
1000 або більше: 1051.81 грн.
100 або більше: 1110.24 грн.
1000 або більше: 1051.81 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 32 Вт |
| Струм | |
| Струм | 2 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 3.8 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 5 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 2500 В |