IXBT2N250

IXBT2N250

1061.85 грн.

10 або більше: 1048.81 грн.
100 або більше: 1016.70 грн.
1000 або більше: 963.19 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT2N250
Доступно: 8

Доступні варіанти

В закладки порівняння
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 32 Вт
Струм
Струм 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 5 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 2500 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969