IXBT2N250

IXBT2N250

1538.98 грн.

10 или более 1480.10 грн.
100 или более 1480.10 грн.
1000 или более 1480.10 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT2N250
Доступно: 300

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 32 Вт
Ток
Ток 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 5 А (25°C)
Напряжение 2500 В
datasheet