IXBT2N250
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT2N250
1076.90 грн.
10 или более 1048.81 грн.
100 или более 1016.70 грн.
1000 или более 963.19 грн.
100 или более 1016.70 грн.
1000 или более 963.19 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 32 Вт |
Ток | |
Ток | 2 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 3.8 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 5 А (25°C) |
Напряжение | 2500 В |