IXBT2N250

1076.90 грн.

10 или более 1048.81 грн.
100 или более 1016.70 грн.
1000 или более 963.19 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT2N250
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 32 Вт
Ток
Ток 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 5 А (25°C)
Напряжение 2500 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969