IXBT2N250-TR

IXBT2N250-TR

1088.00 грн.

10 або більше: 1066.24 грн.
100 або більше: 1033.60 грн.
1000 або більше: 979.20 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT2N250-TR
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 32 Вт
Струм
Струм 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 400 шт. (стрічка на котушці)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 5 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 2500 В
datasheet