IXBT2N250-TR

941.54 грн.

10 или более 922.71 грн.
100 или более 894.46 грн.
1000 или более 847.38 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT2N250-TR
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 32 Вт
Ток
Ток 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 400 шт. (лента на катушке)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 5 А (25°C)
Напряжение 2500 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969