РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT2N250-TR
IXBT2N250-TR
1088.00 грн.
10 или более 1066.24 грн.
100 или более 1033.60 грн.
1000 или более 979.20 грн.
100 или более 1033.60 грн.
1000 или более 979.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 32 Вт |
| Ток | |
| Ток | 2 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 5 А (25°C) |
| Напряжение | 2500 В |