IXBT2N250-TR
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT2N250-TR
941.54 грн.
10 или более 922.71 грн.
100 или более 894.46 грн.
1000 или более 847.38 грн.
100 или более 894.46 грн.
1000 или более 847.38 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 32 Вт |
Ток | |
Ток | 2 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 3.8 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 5 А (25°C) |
Напряжение | 2500 В |