РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT2N250-TR
IXBT2N250-TR
1 028.16 грн.
10 или более 1 007.60 грн.
100 или более 976.75 грн.
1000 или более 925.34 грн.
100 или более 976.75 грн.
1000 или более 925.34 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO268(D3PA
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 32 Вт |
| Ток | |
| Ток | 2 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 5 А (25°C) |
| Напряжение | 2500 В |