IXBT32N300HV

IXBT32N300HV

3484.74 грн.

10 або більше: 3415.05 грн.
100 або більше: 3310.50 грн.
1000 або більше: 3136.27 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT32N300HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 400 Вт
Струм
Струм 32 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3000 В
datasheet