IXBT32N300HV
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT32N300HV
3484.74 грн.
10 или более 3415.05 грн.
100 или более 3310.50 грн.
1000 или более 3136.27 грн.
100 или более 3310.50 грн.
1000 или более 3136.27 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 400 Вт |
Ток | |
Ток | 32 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
Напряжение | 3000 В |