РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT32N300HV
IXBT32N300HV
3655.07 грн.
10 или более 3581.97 грн.
100 или более 3472.32 грн.
1000 или более 3289.56 грн.
100 или более 3472.32 грн.
1000 или более 3289.56 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 32A 3000V BIMOSFET TO268 (D3
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 400 Вт |
| Ток | |
| Ток | 32 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |