IXBT42N170

IXBT42N170

1 778.89 грн.

10 або більше: 1 758.83 грн.
100 або більше: 1 704.99 грн.
1000 або більше: 1 615.25 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT42N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 360 Вт
Струм
Струм 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet