РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N170
IXBT42N170
2871.13 грн.
10 или более 2331.65 грн.
100 или более 2331.65 грн.
1000 или более 2331.65 грн.
100 или более 2331.65 грн.
1000 или более 2331.65 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 360 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |