IXBT42N170

IXBT42N170

1778.89 грн.

10 или более 1758.83 грн.
100 или более 1704.99 грн.
1000 или более 1615.25 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXBT42N170
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P

Корпус
Корпус	TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж	SMT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	360 Вт
Ток
Ток	42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2.8 В
Структура	С диодом
Технология	BIMOSFET
Ток (макс.)	80 А (25°C)
Напряжение	1700 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969