IXBT42N170-TRL

1318.08 грн.

10 або більше: 1291.71 грн.
100 або більше: 1252.17 грн.
1000 або більше: 1186.27 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT42N170-TRL
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 360 Вт
Струм
Струм 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 400 шт. (стрічка на котушці)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.8 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 80 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969