IXBT42N170-TRL
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT42N170-TRL
1318.08 грн.
10 або більше: 1291.71 грн.
100 або більше: 1252.17 грн.
1000 або більше: 1186.27 грн.
100 або більше: 1252.17 грн.
1000 або більше: 1186.27 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
Розсіювана потужність | |
Розсіювана потужність | 360 Вт |
Струм | |
Струм | 42 А (90°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 400 шт. (стрічка на котушці) |
Основні | |
Кількість ключів | 1 |
Напруга насичення (К-Е) | 2.8 В |
Структура | З діодом |
Струм (макс.) | 80 А (25°C) |
Технологія | BIMOSFET |
Напруга | 1700 В |