IXBT42N170-TRL

IXBT42N170-TRL

1529.91 грн.

10 или более 1499.31 грн.
100 или более 1453.42 грн.
1000 или более 1376.92 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT42N170-TRL
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 360 Вт
Ток
Ток 42 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 400 шт. (лента на катушке)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.8 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 80 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet