РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N170-TRL
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT42N170-TRL
1439.34 грн.
10 или более 1410.55 грн.
100 или более 1367.37 грн.
1000 или более 1295.41 грн.
100 или более 1367.37 грн.
1000 или более 1295.41 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 360 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |