РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N170-TRL
IXBT42N170-TRL
1 439.34 грн.
10 или более 1 410.55 грн.
100 или более 1 367.37 грн.
1000 или более 1 295.41 грн.
100 или более 1 367.37 грн.
1000 или более 1 295.41 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 360 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |