РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N170-TRL
IXBT42N170-TRL
1523.11 грн.
10 или более 1492.65 грн.
100 или более 1446.95 грн.
1000 или более 1370.80 грн.
100 или более 1446.95 грн.
1000 или более 1370.80 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 360 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 400 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.8 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 80 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |