РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBT42N170A
IXBT42N170A
1758.79 грн.
10 або більше: 1727.20 грн.
100 або більше: 1674.33 грн.
1000 або більше: 1586.20 грн.
100 або більше: 1674.33 грн.
1000 або більше: 1586.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 357 Вт |
| Струм | |
| Струм | 21 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 6 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 42 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 1700 В |