IXBT42N170A

1624.00 грн.

10 или более 1581.68 грн.
100 или более 1533.26 грн.
1000 или более 1452.56 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT42N170A
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 357 Вт
Ток
Ток 21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 42 А (25°C)
Напряжение 1700 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969