IXBT42N170A
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT42N170A
1624.00 грн.
10 или более 1581.68 грн.
100 или более 1533.26 грн.
1000 или более 1452.56 грн.
100 или более 1533.26 грн.
1000 или более 1452.56 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 357 Вт |
Ток | |
Ток | 21 А (90°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 42 А (25°C) |
Напряжение | 1700 В |