РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N170A
IXBT42N170A
1747.22 грн.
10 или более 1727.20 грн.
100 или более 1674.33 грн.
1000 или более 1586.20 грн.
100 или более 1674.33 грн.
1000 или более 1586.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 357 Вт |
| Ток | |
| Ток | 21 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 42 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |