IXBT42N300HV

IXBT42N300HV

3722.82 грн.

10 або більше: 3679.99 грн.
100 або більше: 3567.34 грн.
1000 або більше: 3379.58 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT42N300HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 500 Вт
Струм
Струм 42 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 104 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3000 В
datasheet