РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N300HV
IXBT42N300HV
4014.14 грн.
10 или более 3737.41 грн.
100 или более 3737.41 грн.
1000 или более 3737.41 грн.
100 или более 3737.41 грн.
1000 или более 3737.41 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 500 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 104 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |