IXBT42N300HV

3722.82 грн.

10 или более 3679.99 грн.
100 или более 3567.34 грн.
1000 или более 3379.58 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT42N300HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 500 Вт
Ток
Ток 42 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 104 А (25°C)
Напряжение 3000 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969