РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT42N300HV
IXBT42N300HV
3904.78 грн.
10 или более 3859.87 грн.
100 или более 3741.71 грн.
1000 или более 3544.77 грн.
100 или более 3741.71 грн.
1000 или более 3544.77 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 3000V BIMOSFET TO268(D3P
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 500 Вт |
| Ток | |
| Ток | 42 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 104 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |