IXBT6N170

IXBT6N170

534.09 грн.

10 або більше: 524.61 грн.
100 або більше: 508.54 грн.
1000 або більше: 481.78 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBT6N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 75 Вт
Струм
Струм 6 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.4 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 12 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet