IXBT6N170

IXBT6N170

561.31 грн.

10 или более 555.14 грн.
100 или более 538.14 грн.
1000 или более 509.82 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBT6N170
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 75 Вт
Ток
Ток 6 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.4 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 12 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet