РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT6N170
IXBT6N170
530.44 грн.
10 или более 524.61 грн.
100 или более 508.54 грн.
1000 или более 481.78 грн.
100 или более 508.54 грн.
1000 или более 481.78 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 6A 1700V BIMOSFET TO268(D3PA
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 75 Вт |
| Ток | |
| Ток | 6 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.4 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 12 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |