IXBX50N360HV

4 406.72 грн.

10 або більше: 4 318.59 грн.
100 або більше: 4 186.39 грн.
1000 або більше: 3 966.05 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBX50N360HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS
Корпус
Корпус TO247PLUS
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 660 Вт
Струм
Струм 50 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.9 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 125 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 3600 В