IXBX50N360HV

IXBX50N360HV

4684.02 грн.

10 или более 4590.34 грн.
100 или более 4449.82 грн.
1000 или более 4215.62 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBX50N360HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS
Корпус
Корпус TO247PLUS
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 660 Вт
Ток
Ток 50 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.9 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 125 А (25°C)
Напряжение 3600 В
datasheet