IXBX50N360HV

4035.46 грн.

10 или более 3954.75 грн.
100 или более 3833.68 грн.
1000 или более 3631.91 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBX50N360HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS
Корпус
Корпус TO247PLUS
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 660 Вт
Ток
Ток 50 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.9 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 125 А (25°C)
Напряжение 3600 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969