РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBX50N360HV
IXBX50N360HV
4 406.72 грн.
10 или более 4 318.59 грн.
100 или более 4 186.39 грн.
1000 или более 3 966.05 грн.
100 или более 4 186.39 грн.
1000 или более 3 966.05 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 3600V BIMOSFET TO247PLUS
| Корпус | |
| Корпус | TO247PLUS |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 660 Вт |
| Ток | |
| Ток | 50 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.9 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 125 А (25°C) |
| Напряжение | 3600 В |