IXBX75N170

IXBX75N170

4112.42 грн.

10 або більше: 4006.12 грн.
100 або більше: 3883.49 грн.
1000 або більше: 3679.09 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXBX75N170
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET PLUS247
Корпус
Корпус PLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 1040 Вт
Струм
Струм 75 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 3.1 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 200 А (25°C)
Технологія BIMOSFET
Напруга 1700 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969