РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBX75N170
IXBX75N170
4632.38 грн.
10 или более 4329.88 грн.
100 или более 4329.88 грн.
1000 или более 4329.88 грн.
100 или более 4329.88 грн.
1000 или более 4329.88 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET PLUS247
| Корпус | |
| Корпус | PLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 1040 Вт |
| Ток | |
| Ток | 75 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.1 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 200 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |