IXBX75N170

IXBX75N170

4112.42 грн.

10 или более 4006.12 грн.
100 или более 3883.49 грн.
1000 или более 3679.09 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXBX75N170
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 75A 1700V BIMOSFET PLUS247

Корпус
Корпус	PLUS247
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	1040 Вт
Ток
Ток	75 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	3.1 В
Структура	С диодом
Технология	BIMOSFET
Ток (макс.)	200 А (25°C)
Напряжение	1700 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969