РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXBX75N170A
IXBX75N170A
3 925.01 грн.
10 або більше: 3 880.52 грн.
100 або більше: 3 761.73 грн.
1000 або більше: 3 563.75 грн.
100 або більше: 3 761.73 грн.
1000 або більше: 3 563.75 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 65A 1700V BIMOSFET PLUS247
| Корпус | |
| Корпус | PLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 1040 Вт |
| Струм | |
| Струм | 65 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 4.95 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 110 А (25°C) |
| Технологія | BIMOSFET |
| Напруга | 1700 В |