IXBX75N170A

IXBX75N170A

2026.21 грн.

10 или более 2026.21 грн.
100 или более 2026.21 грн.
1000 или более 2026.21 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBX75N170A
Доступно: 7

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 65A 1700V BIMOSFET PLUS247
Корпус
Корпус PLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 1040 Вт
Ток
Ток 65 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 4.95 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 110 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet