РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBX75N170A
IXBX75N170A
3 925.01 грн.
10 или более 3 880.52 грн.
100 или более 3 761.73 грн.
1000 или более 3 563.75 грн.
100 или более 3 761.73 грн.
1000 или более 3 563.75 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 65A 1700V BIMOSFET PLUS247
| Корпус | |
| Корпус | PLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 1040 Вт |
| Ток | |
| Ток | 65 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 4.95 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 110 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |