IXGK50N120C3H1

1467.08 грн.

10 або більше: 1445.50 грн.
100 або більше: 1401.25 грн.
1000 або більше: 1327.50 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXGK50N120C3H1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 1200V GENX3 TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 460 Вт
Струм
Струм 50 А (100°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 4.2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 95 А (25°C)
Технологія GENX3
Напруга 1200 В