РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGK50N120C3H1
IXGK50N120C3H1
1963.65 грн.
10 или более 1572.83 грн.
100 или более 1572.83 грн.
1000 или более 1572.83 грн.
100 или более 1572.83 грн.
1000 или более 1572.83 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 1200V GENX3 TO264
| Корпус | |
| Корпус | TO264 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 460 Вт |
| Ток | |
| Ток | 50 А (100°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 4.2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 95 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |