IXGK50N120C3H1

1360.77 грн.

10 или более 1323.71 грн.
100 или более 1283.19 грн.
1000 или более 1215.66 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXGK50N120C3H1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 1200V GENX3 TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 460 Вт
Ток
Ток 50 А (100°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 4.2 В
Структура С диодом
Технология GENX3
Ток (макс.) 95 А (25°C)
Напряжение 1200 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969