IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

1420.35 грн.

10 або більше: 1403.95 грн.
100 або більше: 1360.97 грн.
1000 або більше: 1289.34 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXGR55N120A3H1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
Корпус
Корпус ISOPLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 200 Вт
Струм
Струм 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.35 В
Структура З діодом SiC
Струм (макс.) 70 А (25°C)
Технологія GENX3
Напруга 1200 В
datasheet