РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXGR55N120A3H1
IXGR55N120A3H1
1342.24 грн.
10 або більше: 1326.73 грн.
100 або більше: 1286.12 грн.
1000 або більше: 1218.43 грн.
100 або більше: 1286.12 грн.
1000 або більше: 1218.43 грн.
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +150°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 200 Вт |
| Струм | |
| Струм | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 2.35 В |
| Структура | З діодом SiC |
| Струм (макс.) | 70 А (25°C) |
| Технологія | GENX3 |
| Напруга | 1200 В |