IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

1248.67 грн.

10 або більше: 1214.95 грн.
100 або більше: 1177.76 грн.
1000 або більше: 1115.78 грн.

Виробник: Ixys
Артикул: IXGR55N120A3H1
Доступно: Немає пропозицій

В закладки порівняння

Опис Характеристики Файли для скачування

IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2

Корпус
Корпус	ISOPLUS247
Монтаж
Монтаж	THT
Робоча температура
Робоча температура	-55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність	200 Вт
Струм
Струм	30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів	1
Напруга насичення (К-Е)	2.35 В
Структура	З діодом SiC
Струм (макс.)	70 А (25°C)
Технологія	GENX3
Напруга	1200 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969