РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGR55N120A3H1
IXGR55N120A3H1
1342.24 грн.
10 или более 1326.73 грн.
100 или более 1286.12 грн.
1000 или более 1218.43 грн.
100 или более 1286.12 грн.
1000 или более 1218.43 грн.
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Ток | |
| Ток | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.35 В |
| Структура | С диодом SiC |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 70 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |