РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGR55N120A3H1
IXGR55N120A3H1
1 342.24 грн.
10 или более 1 326.73 грн.
100 или более 1 286.12 грн.
1000 или более 1 218.43 грн.
100 или более 1 286.12 грн.
1000 или более 1 218.43 грн.
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Ток | |
| Ток | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.35 В |
| Структура | С диодом SiC |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 70 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |