IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

1248.67 грн.

10 или более 1214.95 грн.
100 или более 1177.76 грн.
1000 или более 1115.78 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXGR55N120A3H1
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 1200V GENX3 ISOPLUS2

Корпус
Корпус	ISOPLUS247
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	200 Вт
Ток
Ток	30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2.35 В
Структура	С диодом SiC
Технология	GENX3
Ток (макс.)	70 А (25°C)
Напряжение	1200 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969