IXSQ10N60B2D1

IXSQ10N60B2D1

127.75 грн.

10 або більше: 125.20 грн.
100 або більше: 121.37 грн.
1000 або більше: 114.98 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXSQ10N60B2D1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 600V H.SPEED TO3P
Корпус
Корпус TO3P
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +150°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 100 Вт
Струм
Струм 10 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.5 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 20 А (25°C)
Технологія HIGH SPEED
Напруга 600 В
datasheet