IXSQ10N60B2D1
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXSQ10N60B2D1
111.54 грн.
10 или более 109.31 грн.
100 или более 105.96 грн.
1000 или более 100.38 грн.
100 или более 105.96 грн.
1000 или более 100.38 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 600V H.SPEED TO3P
Корпус | |
Корпус | TO3P |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 100 Вт |
Ток | |
Ток | 10 А (110°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 2.5 В |
Структура | С диодом |
Технология | HIGH SPEED |
Ток (макс.) | 20 А (25°C) |
Напряжение | 600 В |