РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXSQ10N60B2D1
IXSQ10N60B2D1
121.80 грн.
10 или более 119.36 грн.
100 или более 115.71 грн.
1000 или более 109.62 грн.
100 или более 115.71 грн.
1000 или более 109.62 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 600V H.SPEED TO3P
| Корпус | |
| Корпус | TO3P |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 100 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.5 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | HIGH SPEED |
| Ток (макс.) | 20 А (25°C) |
| Напряжение | 600 В |