IXTT170N10P-TR

IXTT170N10P-TR

639.45 грн.

10 або більше: 626.66 грн.
100 або більше: 607.48 грн.
1000 або більше: 575.50 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXTT170N10P-TR
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.170A 100V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET SM
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 170 А
Упаковка
Упаковка 400 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9 мОм
Потужність 715 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 120 нс
Напруга 100 В
datasheet