IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1

800.29 грн.

10 або більше: 779.36 грн.
100 або більше: 755.51 грн.
1000 або більше: 715.74 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXXH80N65B4H1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V GENX4 TO247-3
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 625 Вт
Струм
Струм 80 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 160 А (25°C)
Технологія GENX4
Напруга 650 В
datasheet
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969