РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXXH80N65B4H1
IXXH80N65B4H1
861.13 грн.
10 або більше: 851.07 грн.
100 або більше: 825.01 грн.
1000 або більше: 781.59 грн.
100 або більше: 825.01 грн.
1000 або більше: 781.59 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V GENX4 TO247-3
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +175°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 625 Вт |
| Струм | |
| Струм | 80 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 2 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 160 А (25°C) |
| Технологія | GENX4 |
| Напруга | 650 В |