IXXH80N65B4H1

IXXH80N65B4H1

800.29 грн.

10 или более 779.36 грн.
100 или более 755.51 грн.
1000 или более 715.74 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXXH80N65B4H1
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V GENX4 TO247-3

Корпус
Корпус	TO247-3
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	625 Вт
Ток
Ток	80 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2 В
Структура	С диодом
Технология	GENX4
Ток (макс.)	160 А (25°C)
Напряжение	650 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969