РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXH80N65B4H1
IXXH80N65B4H1
910.43 грн.
10 или более 813.28 грн.
100 или более 813.28 грн.
1000 или более 813.28 грн.
100 или более 813.28 грн.
1000 или более 813.28 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 80A 650V GENX4 TO247-3
| Корпус | |
| Корпус | TO247-3 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 625 Вт |
| Ток | |
| Ток | 80 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | GENX4 |
| Ток (макс.) | 160 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |