IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1

1487.79 грн.

10 або більше: 944.76 грн.
100 або більше: 915.84 грн.
1000 або більше: 867.64 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXXK110N65B4H1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 880 Вт
Струм
Струм 110 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.1 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 240 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В
datasheet