РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXK110N65B4H1
IXXK110N65B4H1
1 487.79 грн.
10 или более 944.76 грн.
100 или более 915.84 грн.
1000 или более 867.64 грн.
100 или более 915.84 грн.
1000 или более 867.64 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT TO264
| Корпус | |
| Корпус | TO264 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 880 Вт |
| Ток | |
| Ток | 110 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 25 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.1 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 240 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |