IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1

1382.52 грн.

10 или более 865.17 грн.
100 или более 838.68 грн.
1000 или более 794.55 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXXK110N65B4H1
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT TO264

Корпус
Корпус	TO264
Монтаж
Монтаж	THT
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	880 Вт
Ток
Ток	110 А (110°C)
Упаковка
Упаковка	25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	2.1 В
Структура	С диодом
Технология	XPT
Ток (макс.)	240 А (25°C)
Напряжение	650 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969