IXXK110N65B4H1

IXXK110N65B4H1

1 653.79 грн.

10 или более 1 207.78 грн.
100 или более 1 095.90 грн.
1000 или более 1 095.90 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXXK110N65B4H1
Доступно: 100

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 110A 650V XPT TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 880 Вт
Ток
Ток 110 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.1 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 240 А (25°C)
Напряжение 650 В
datasheet