IXXP12N65B4D1

188.79 грн.

10 або більше: 186.21 грн.
100 або більше: 180.51 грн.
1000 або більше: 171.01 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXXP12N65B4D1
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 650V XPT TO220AB
Корпус
Корпус TO220AB
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 160 Вт
Струм
Струм 12 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 1.95 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 38 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В