IXXP12N65B4D1

175.12 грн.

10 или более 170.52 грн.
100 или более 165.30 грн.
1000 или более 156.60 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXXP12N65B4D1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 650V XPT TO220AB
Корпус
Корпус TO220AB
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 160 Вт
Ток
Ток 12 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 1.95 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 38 А (25°C)
Напряжение 650 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969