РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXXP12N65B4D1
IXXP12N65B4D1
199.78 грн.
10 или более 197.04 грн.
100 или более 191.01 грн.
1000 или более 180.96 грн.
100 или более 191.01 грн.
1000 или более 180.96 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 12A 650V XPT TO220AB
| Корпус | |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 160 Вт |
| Ток | |
| Ток | 12 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.95 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 38 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |