IXYP10N65B3D1
IXYP10N65B3D1
160.02 грн.
10 або більше: 156.82 грн.
100 або більше: 152.02 грн.
1000 або більше: 144.02 грн.
100 або більше: 152.02 грн.
1000 або більше: 144.02 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 650V XPT TO220AB
| Корпус | |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +175°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 160 Вт |
| Струм | |
| Струм | 10 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 1.95 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 32 А (25°C) |
| Технологія | XPT |
| Напруга | 650 В |
РУС
УКР







