РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXYP10N65B3D1
IXYP10N65B3D1
160.02 грн.
10 или более 156.82 грн.
100 или более 152.02 грн.
1000 или более 144.02 грн.
100 или более 152.02 грн.
1000 или более 144.02 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 650V XPT TO220AB
| Корпус | |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 160 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.95 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 32 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |