IXYP10N65C3D1M

146.16 грн.

10 або більше: 144.43 грн.
100 або більше: 140.01 грн.
1000 або більше: 132.64 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXYP10N65C3D1M
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 7A 650V XPT TO220FP
Корпус
Корпус TO220FP
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 53 Вт
Струм
Струм 7 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.6 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 15 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В