IXYP10N65C3D1M
IXYP10N65C3D1M
154.67 грн.
10 или более 152.84 грн.
100 или более 148.16 грн.
1000 или более 140.36 грн.
100 или более 148.16 грн.
1000 или более 140.36 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 7A 650V XPT TO220FP
| Корпус | |
| Корпус | TO220FP |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +175°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 53 Вт |
| Ток | |
| Ток | 7 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | XPT |
| Ток (макс.) | 15 А (25°C) |
| Напряжение | 650 В |
РУС
УКР







