РУС
УКРВаш кошик порожній!
Оберіть валюту
IXYQ30N65B3D1
IXYQ30N65B3D1
357.00 грн.
10 або більше: 349.86 грн.
100 або більше: 339.15 грн.
1000 або більше: 321.30 грн.
100 або більше: 339.15 грн.
1000 або більше: 321.30 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 650V XPT TO3P
| Корпус | |
| Корпус | TO3P |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Робоча температура | |
| Робоча температура | -55°C ~ +175°C |
| Розсіювана потужність | |
| Розсіювана потужність | 270 Вт |
| Струм | |
| Струм | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основні | |
| Кількість ключів | 1 |
| Напруга насичення (К-Е) | 2.1 В |
| Структура | З діодом |
| Струм (макс.) | 70 А (25°C) |
| Технологія | XPT |
| Напруга | 650 В |