IXYQ30N65B3D1

IXYQ30N65B3D1

377.78 грн.

10 или более 370.22 грн.
100 или более 358.89 грн.
1000 или более 340.00 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXYQ30N65B3D1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 650V XPT TO3P
Корпус
Корпус TO3P
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +175°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 270 Вт
Ток
Ток 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.1 В
Структура С диодом
Технология XPT
Ток (макс.) 70 А (25°C)
Напряжение 650 В
datasheet