IXYT30N65C3H1HV

740.54 грн.

10 або більше: 725.73 грн.
100 або більше: 703.52 грн.
1000 або більше: 666.49 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXYT30N65C3H1HV
Доступно: Немає пропозицій
IGBT DIS.DIODE SINGLE 30A 650V XPT TO268(D3PAK)
Корпус
Корпус TO268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C ~ +175°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 270 Вт
Струм
Струм 30 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основні
Кількість ключів 1
Напруга насичення (К-Е) 2.7 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 60 А (25°C)
Технологія XPT
Напруга 650 В