MG12100S-BN2MM
MG12100S-BN2MM
6115.58 грн.
10 або більше: 6045.79 грн.
100 або більше: 5860.71 грн.
1000 або більше: 5552.25 грн.
100 або більше: 5860.71 грн.
1000 або більше: 5552.25 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
Корпус | |
Корпус | S3 CASE |
Монтаж | |
Монтаж | На шасі |
Робоча температура | |
Робоча температура | -40°C ~ +125°C |
Розсіювана потужність | |
Розсіювана потужність | 450 Вт |
Струм | |
Струм | 100 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 100 шт. (коробка) |
Основні | |
Кількість ключів | 2 |
Напруга насичення (К-Е) | 1.7 В |
Структура | З діодом |
Струм (макс.) | 140 А (25°C) |
Технологія | POWER MODULE |
Напруга | 1200 В |