РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG12100S-BN2MM
MG12100S-BN2MM
6 115.58 грн.
10 или более 6 045.79 грн.
100 или более 5 860.71 грн.
1000 или более 5 552.25 грн.
100 или более 5 860.71 грн.
1000 или более 5 552.25 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | S3 CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 450 Вт |
| Ток | |
| Ток | 100 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 100 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 2 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 140 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |