РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG12100S-BN2MM
MG12100S-BN2MM
6471.50 грн.
10 или более 6397.65 грн.
100 или более 6201.81 грн.
1000 или более 5875.39 грн.
100 или более 6201.81 грн.
1000 или более 5875.39 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V S3 CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | S3 CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 450 Вт |
| Ток | |
| Ток | 100 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 100 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 2 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 140 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |