MG12150S-BN2MM
MG12150S-BN2MM
7723.95 грн.
10 або більше: 7635.12 грн.
100 або більше: 7401.39 грн.
1000 або більше: 7011.85 грн.
100 або більше: 7401.39 грн.
1000 або більше: 7011.85 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 1200V S3 CHASSIS
Корпус | |
Корпус | S3 CASE |
Монтаж | |
Монтаж | На шасі |
Робоча температура | |
Робоча температура | -40°C ~ +125°C |
Розсіювана потужність | |
Розсіювана потужність | 625 Вт |
Струм | |
Струм | 150 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 100 шт. (коробка) |
Основні | |
Кількість ключів | 2 |
Напруга насичення (К-Е) | 1.7 В |
Структура | З діодом |
Струм (макс.) | 200 А (25°C) |
Технологія | POWER MODULE |
Напруга | 1200 В |