MG12150S-BN2MM

7723.95 грн.

10 або більше: 7635.12 грн.
100 або більше: 7401.39 грн.
1000 або більше: 7011.85 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: MG12150S-BN2MM
Доступно: Немає пропозицій
IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 1200V S3 CHASSIS
Корпус
Корпус S3 CASE
Монтаж
Монтаж На шасі
Робоча температура
Робоча температура -40°C ~ +125°C
Розсіювана потужність
Розсіювана потужність 625 Вт
Струм
Струм 150 А (80°C)
Упаковка
Упаковка 100 шт. (коробка)
Основні
Кількість ключів 2
Напруга насичення (К-Е) 1.7 В
Структура З діодом
Струм (макс.) 200 А (25°C)
Технологія POWER MODULE
Напруга 1200 В