РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
MG12150S-BN2MM
MG12150S-BN2MM
8173.48 грн.
10 или более 8079.48 грн.
100 или более 7832.15 грн.
1000 или более 7419.93 грн.
100 или более 7832.15 грн.
1000 или более 7419.93 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 150A 1200V S3 CHASSIS
| Корпус | |
| Корпус | S3 CASE |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 625 Вт |
| Ток | |
| Ток | 150 А (80°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 100 шт. (коробка) |
| Основные | |
| Количество ключей | 2 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 1.7 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | POWER MODULE |
| Ток (макс.) | 200 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |