MG1250H-XN2MM
MG1250H-XN2MM
7005.18 грн.
10 або більше: 6865.08 грн.
100 або більше: 6654.92 грн.
1000 або більше: 6304.66 грн.
100 або більше: 6654.92 грн.
1000 або більше: 6304.66 грн.
IGBT MOD.DIODE SIX 50A 1200V H CHASSIS
Корпус | |
Корпус | H CASE |
Монтаж | |
Монтаж | На шасі |
Робоча температура | |
Робоча температура | -40°C ~ +125°C |
Розсіювана потужність | |
Розсіювана потужність | 260 Вт |
Струм | |
Струм | 50 А (80°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 80 шт. (коробка) |
Основні | |
Кількість ключів | 6 |
Напруга насичення (К-Е) | 1.7 В |
Структура | З діодом |
Струм (макс.) | 75 А (25°C) |
Технологія | POWER MODULE |
Напруга | 1200 В |